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OptiMOS™ Linear FET kombiniert niedrigen RDS(on)  mit großem sicheren Arbeitsbereich
München, 25. Juli 2017 – Die Infineon Technologies AG legt die OptiMOS™-Linear-FET-Serie auf. Die neue Produktfamilie kombiniert den bestmöglichen Durchlasswiderstand (RDS(ON)) eines Trench-MOSFETs mit dem breiten sicheren Arbeitsbereich (Safe Operating Area, SOA) eines planaren MOSFETs. Dies beseitigt den bisherigen Widerspruch zwischen niedrigem RDS(ON) und der Fähigkeit zum Linearmodus. Der OptiMOS Linear FET arbeitet im Sättigungsbereich eines MOSFETs vom Anreicherungstyp. Er ist ideal geeignet für Hot-Swap-, E-Sicherungs- und Schutzanwendungen, die häufig in Telekom- und Batteriemanagementsystemen (BMS) zu finden sind.

Sowohl der robuste Betrieb im Linearmodus als auch der höhere Impulsstrom sorgen für niedrige Leitungsverluste, schnelleres Anspringen und kürzere Ausfallzeit. Der OptiMOS Linear FET begrenzt hohe Einschaltströme und verhindert damit Schäden unter Last bei einem Kurzschluss.

Verfügbarkeit

Der OptiMOS Linear FET ist ab sofort in drei Spannungsklassen erhältlich: 100 V, 150 V und 200 V. Die Varianten sind lieferbar in den Gehäusetypen D²PAK oder D²PAK-7Pin. Diese entsprechen dem Industriestandard und bieten mit der kompatiblen Abmessung die Möglichkeit für einfachen Ersatz. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/optimos-linearfet.
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen, die das Leben einfacher, sicherer und umweltfreundlicher machen. Mikroelektronik von Infineon ist der Schlüssel für eine lebenswerte Zukunft. Mit weltweit mehr als 36.000 Beschäftigten erzielte das Unternehmen im Geschäftsjahr 2016 (Ende September) einen Umsatz von rund 6,5 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

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» Infineon Technologies
» Presse Informationen
» Presse-Information
Datum: 25.07.2017 12:00
Nummer: INFPMM201707-065d
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Der OptiMOS Linear FET ist ab sofort in drei Spannungsklassen erhältlich: 100 V, 150 V und 200 V. Die Varianten sind lieferbar in den Gehäusetypen D2PAK oder D2PAK-7Pin. Diese entsprechen dem Industriestandard und bieten mit der kompatiblen Abmessung die Möglichkeit für einfachen Ersatz.
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