Twitter Facebook Google+ YouTube Vimeo Flickr Xing RSS-Feed
StrongIRFET™ MOSFET in neuem Gehäuse für batteriegetriebene Anwendungen
München, 12. April 2017 – Die Infineon Technologies AG ergänzt die StrongIRFET™-Familie mit dem D²PAK 7pin+, einem 40-V-Baustein in neuem Gehäuse. Der neue MOSFET bietet einen extrem niedrigen RDS(on) von 0,65 mΩ und die branchenweit höchste Stromtragfähigkeit. Das erhöht die Robustheit und Zuverlässigkeit. Wichtig ist dies für Anwendungen mit großer Leistungsdichte, die einen hohen Wirkungsgrad und hohe Zuverlässigkeit erfordern. Das neue Gehäuse ist oberflächenmontierbar und die optimale Lösung für Niederspannungsantriebe, batteriebetriebene Werkzeuge und elektrische Kleinfahrzeuge.

D²PAK 7pin+ erweitert den hohen Variantenreichtum an Gehäusen für die StrongIRFET-Familie. Das erleichtert es, den optimalen Leistungshalbleiter für eine Vielzahl spezieller Design-Herausforderungen zu wählen. Die verschiedenen Optionen für die Pinbelegung ermöglichen zudem eine unübertroffene Designflexibilität. Im Vergleich zum D²PAK 7pin-Standardgehäuse liegt der RDS(on) der neuen Familie um bis zu 15 Prozent niedriger. Der thermische Widerstand von der Sperrschicht zur Leiterplatte ist um bis zu 39 Prozent geringer.

Das verbesserte Gehäuse bietet Platz für einen um 20 Prozent größeren Chip, bei identischer Pinbelegung und Grundfläche im Vergleich zum Standard-Gehäuse. Aus diesem Grund lassen sich damit die traditionellen D²PAK 7pin- und H²PAK-Gehäuse leicht ersetzten. Darüber hinaus liegt die Gate-Einsatzspannung auf Logic Level, der MOSFET kann somit direkt vom Mikrocontroller angesteuert werden. Das spart Platz auf der Leiterplatte und erhöht die Designflexibilität – gerade bei batteriegetriebenen Werkzeugen ist dies besonders wichtig.

Verfügbarkeit

Der StrongIRFET steht ab sofort im neuen Gehäuse D²PAK 7pin+ zur Verfügung. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/strongirfet.
Über Infineon

Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter von Halbleiterlösungen, die das Leben einfacher, sicherer und umweltfreundlicher machen. Mikroelektronik von Infineon ist der Schlüssel für eine lebenswerte Zukunft. Mit weltweit mehr als 36.000 Beschäftigten erzielte das Unternehmen im Geschäftsjahr 2016 (Ende September) einen Umsatz von rund 6,5 Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International Premier unter dem Symbol „IFNNY“ notiert.

Follow us: twitter.com/Infineonfacebook.com/Infineonplus.google.com/+Infineon
 
 
 
» Infineon Technologies
» Presse Informationen
» Presse-Information
Datum: 12.04.2017 15:45
Nummer: INFPMM201704-046d
» Bildmaterial
Bitte klicken Sie auf die Bildvorschau, um die hochauflösende Version zu öffnen. » Weitere Hilfe zu Downloads

 Download der hochauflösenden Version...
Das neue Gehäuse D²PAK 7pin+ für den StrongIRFET MOSFET erleichtert die Wahl des optimalen Leistungshalbleiter für eine Vielzahl spezieller Design-Herausforderungen. Im Vergleich zum D²PAK 7pin-Standardgehäuse liegt der RDS(on) der neuen Familie um bis zu 15 Prozent niedriger. Der thermische Widerstand von der Sperrschicht zur Leiterplatte ist um bis zu 39 Prozent geringer.
» Kontakt
Infineon Technologies AG

Media Relations
Tel: +49 (0)89 234-23888
media.relations@infineon.com

Investor Relations:
Tel: +49 89 234-26655
Fax: +49 89 234-9552987
investor.relations@infineon.com
» Weitere Meldungen
19.05.2017 13:15
Mikroelektronik für die vernetzte Produktion: Infineon startet Forschungsprojekt „Productive4.0“ in Dresden

16.05.2017 11:00
Erstes Full-SiC-Modul in Serienproduktion, Infineon kündigt auf der PCIM weitere Bausteine der CoolSiC™-Familie an

12.05.2017 12:00
Kontaktlose Bezahl- und Ticketlösungen wachsen weiter – vor allem in den Ballungsräumen

10.05.2017 13:15
Neues Gehäuse: TRENCHSTOP™ Advanced Isolation für diskrete IGBTs

09.05.2017 11:00
Das intelligente Leistungsmodul CIPOS™ Mini jetzt mit Leistungsfaktorkorrektur